报告人：李连忠
邀请人：张礼杰
报告时间：7月20日（星期四）上午10:00
报告地点：bat365中文官方网站教工之家
报告主题：二维材料面向未来电子学之研究进展
报告人简介：
李连忠教授, 2006年英国牛津大学凝态物理博士, 2006年任新加坡南洋理工大学助理教授, 2010年任中央研究院担任副研究员, 2014年加入沙特国王科技大学,于2016年升任正教授, 2017年底任台积电技术研究处处长, 2021年加入香港大学任讲席教授。研究领域为化学汽相沉积CVD和工具设计, 器件制造和集成,二维半导体材料生长(石墨烯、氮化硼、二硫化合物等)。目前拥有超过60个美国专利内容分布。在台积电任职期间带领公司发展前瞻技术,并攻许多克二维材料电子的难题, 包含生长,金属接触及介电层开发。2018-2022高被引学者; 发表>430篇论文, 引用>58000次, H指数113。
报告摘要：
随着先进晶体管尺寸继续缩小，由于源极漏极隧道效应越加明显，晶体管栅极的可控性变弱。因此，必须减少晶体管本体的厚度以确保有效的栅极控制。如"超薄"的二维半导体等新材料引起了关注。在这次讲座中，我将提供二维半导体材料与硅基鳍式场效晶体管(FinFET)及环绕式栅极晶体管(GAA)进行电路分析，我们将使用SRAM电路作为实例来讨论在先进的技术节点中使用二维半导体优于Si FinFET（或GAA）的好处。同时，我们也将讨论2D半导体在材料成长, 器件制造上的挑战，以及进展情况。
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